1. НАЗНАЧЕНИЕ И ВЫПУСКАЕМЫЕ МОДУЛИ

 

IGBT-модули в конструктивном исполнении «М1» представляют собой сборки IGBT- транзисторов и БВД-диодов предназначенные для коммутации мощных нагрузок в составе преобразователей с максимальным пиковым напряжением до 1700 В и постоянным током до 300 А. IGBT-модули представлены следующими исполнениями:

М9.1 – последовательно соединенные транзистор и диод (общий катод – коллектор). Модуль выпускается с рядом максимального постоянного тока 150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М10 – нижний ключ. Модуль выпускается с рядом максимального постоянного  тока  150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М11 – верхний ключ. Модуль выпускается с рядом максимального постоянного  тока  150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М12 – два последовательно включённых IGBT-транзистора (полумост). Модуль выпускается с рядом максимального постоянного тока 150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М12.1 – два встречно включённых IGBT-транзистора (общий эмиттер). Модуль выпускается с рядом максимального постоянного тока 150,200,300 А с пиковым напряжением 1200 В.

М13А1 – три полумоста. Модуль выпускается с максимальным постоянным током 50 А с пиковым напряжением 1200 В.

М13А4 – Н-мост и чоппер. Модуль выпускается с максимальным постоянным током 50 А с пиковым напряжением 1200 В.

М13Б – Н-мост. Модуль выпускается с рядом максимального постоянного тока 50,100,150 А с пиковым напряжением 1200 В.

М13Б1 – косой мост. Модуль выпускается с рядом  максимального  постоянного  тока  50,100,150 А с пиковым напряжением 1200 В.

В зависимости от исполнения модули изготавливаются в конструктивах, представленных в таблице 1.1. Модули изготавливаются только в тех исполнениях, где при пересечении строки класса модуля и столбца тока указан соответствующий данному исполнению рисунок габаритного чертежа.

 

Таблица 1.1 – Выпускаемые IGBT-модули и соответствующие им габаритные чертежи

 

Тип	Класс	Ток, А
		50	100	150	200	300
М9.1	12			6.1	6.1	6.1
М10	12			6.2	6.2	6.2
М11	12			6.3	6.3	6.3
М12	12			6.4	6.4	6.4
М12.1	12			6.5	6.5	6.5
М13А1	12	6.6
М13А4	12	6.7
М13Б	12	6.8	6.8	6.8
М13Б1	12	6.9	6.9	6.9

На рисунке 1.1 приведена расшифровка названия модулей.

 

Рисунок 1.1 – Расшифровка названия модулей

Например, модуль М12-200-12-М1: полумост с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 1200 В, максимально допустимым постоянным током 200 А исполнения М1.